TLV71333PQDBVRQ1 TI
Có sẵn
TLV71333PQDBVRQ1 TI
1Tính năng
. AEC-Q100 đạt tiêu chuẩn với các kết quả sau:
Nhiệt độ thiết bị Lớp 1: —40 C đến 125 °C Phạm vi nhiệt độ hoạt động xung quanh
Thiết bị HBM ESD Cấp độ phân loại H2- Thiết bị CDM Mức phân loại ESD C4Blnđầu vào Dải điện áp: 1.4 V đến 5.5 V
Hoạt động ổn định có hoặc không có tụ điệnBảo vệ quá dòng gấp lại
Đóng gói: SOT-23 5 chân
Dropout rất thấp: 230 mV ở 150 mAAccuracy: 1%
Lo thấp: 50 uA
-Có sẵn trong điện áp đầu ra cố định: -1 V đến 3,3 V
. PSRR cao: 65 dB ở 1 kHz. Xả đầu ra chủ động2Ứng dụng
. Bộ phận đầu ô tô-Bộ khuếch đại âm thanh
. Cụm DI
-ECU ADAS
Đường ray vi xử lý- uSBs
. Điện tử cơ thể
1Tính năng
. AEC-Q100 đạt tiêu chuẩn với các kết quả sau:
Nhiệt độ thiết bị Lớp 1: —40 C đến 125 °C Phạm vi nhiệt độ hoạt động xung quanh
Thiết bị HBM ESD Cấp độ phân loại H2- Thiết bị CDM Mức phân loại ESD C4Blnđầu vào Dải điện áp: 1.4 V đến 5.5 V
Hoạt động ổn định có hoặc không có tụ điệnBảo vệ quá dòng gấp lại
Đóng gói: SOT-23 5 chân
Dropout rất thấp: 230 mV ở 150 mAAccuracy: 1%
Lo thấp: 50 uA
-Có sẵn trong điện áp đầu ra cố định: -1 V đến 3,3 V
. PSRR cao: 65 dB ở 1 kHz. Xả đầu ra chủ động2Ứng dụng
. Bộ phận đầu ô tô-Bộ khuếch đại âm thanh
. Cụm DI
-ECU ADAS
Đường ray vi xử lý- uSBs
. Điện tử cơ thể
Hãy đảm bảo thông tin liên hệ của bạn là chính xác. Của bạn tin nhắn sẽ được gửi trực tiếp đến (các) người nhận và sẽ không được hiển thị công khai. Chúng tôi sẽ không bao giờ phân phối hoặc bán của bạn cá nhân thông tin cho bên thứ ba mà không có sự cho phép rõ ràng của bạn.
