PDTC144EU NXP Mô tả chung Dòng bóng bán dẫn được trang bị điện trở NPN (RET) trong gói nhựa Thiết bị gắn trên bề mặt (SMD). 1.2 Các tính năng và lợi ích 1.3 Ứng dụng 1.4 Dữ liệu tham khảo nhanh PDTC144E các bóng bán dẫn được trang bị điện trở NPN sê-ri; R1 = 47 k, R2 = 47 k Rev. 9 - 15 tháng 11 năm 2011 Bảng dữ liệu sản phẩm Bảng 1. Tổng quan sản phẩm Số loại Gói PNP bổ sung Cấu hình gói NXP JEITA JEDEC PDTC144EE SOT416 SC-75 - PDTA144EE siêu nhỏ PDTC144EM SOT883 SC-101 - PDTA144EM siêu nhỏ không chì PDTC144ET SOT23 - TO-236AB PDTA144ET PDTC144EU nhỏ SOT323 SC-70 - PDTA144EU rất nhỏ  Khả năng dòng điện đầu ra 100 mA  Giảm số lượng thành phần  Điện trở phân cực tích hợp  Giảm chi phí chọn và đặt  Đơn giản hóa thiết kế mạch  Đủ tiêu chuẩn AEC-Q101  Các ứng dụng kỹ thuật số trong ô tô và phân khúc công nghiệp  Giải pháp thay thế tiết kiệm chi phí cho dòng BC847 / 857 trong các ứng dụng kỹ thuật số  Kiểm soát đầu vào IC  Chuyển đổi tải Bảng 2. Dữ liệu tham khảo nhanh Biểu tượng Thông số Điều kiện Min Typ Max Đơn vị tối đa VCEO Đế mở điện áp bộ thu-bộ phát VCEO - - Dòng điện đầu ra 50 V IO - - 100 mA Điện trở phân cực R1 1 (đầu vào) 33 47 61 k Tỷ lệ điện trở phân cực R2 / R1 0,8 1 1,2